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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV160DT-70ED |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分類： | FLASH |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16Mb(2M×8位/1Mx16位), 3V, CMOS引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 43/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 844K |
| 代理商： | AM29LV160DT-70ED |
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22358B7
May 5, 2006
Am29LV160D
41
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21. DQ2 vs. DQ6 for Erase and
Erase Suspend Operations
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
Figure 22. Temporary Sector Unprotect/Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV160DT-70EF | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV160DT-70EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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| AM29LV160DT-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 1M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP 制造商:Analog Devices 功能描述:NOR Flash, 1M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| AM29LV160DT90SI | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29LV160MB-100EI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 16M-Bit 2M x 8/1M x 16 100ns 48-Pin TSOP 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 1M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
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