參數(shù)資料
型號(hào)： AM29LV160DB-90WCC
廠商： ADVANCED MICRO DEVICES INC
元件分類： PROM
英文描述： 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
中文描述： 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48
封裝： 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 36/50頁(yè)
文件大小： 1191K
代理商： AM29LV160DB-90WCC
Am29LV160D
35
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-70
-90
-120
Unit
t
ELFL/
t
ELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
t
FLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
25
30
30
ns
t
FHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
70
90
120
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
CE#
OE#
BYTE#
t
ELFL
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
BYTE#
t
ELFH
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
Figure 15.
BYTE# Timings for Read Operations
Note:
Refer to the Erase/Program Operations table for t
AS
and t
AH
specifications.
Figure 16.
BYTE# Timings for Write Operations
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
t
HOLD
(t
AH
)
t
SET
(t
AS
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29LV160DB-120SE 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29LV160DT-120EE Ceramic Chip Capacitors / MIL-PRF-55681; Capacitance [nom]: 1000pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic; Temperature Coefficient: X7R (BX); Lead Style: Surface Mount Chip; Lead Dimensions: 0805; Termination: 100% Tin (Sn); Body Dimensions: 0.080" x 0.050" x 0.055"; Container: Bag; Features: MIL-PRF-55681: M Failure Rate
AM29LV160DT-120EC POWER CABLE DISC DRIVE 3.5-5.25,1
AM29LV160DT-70WCC 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29LV160DT-90WCC 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
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