參數(shù)資料
型號： AM29LV160DB-120SE
廠商： ADVANCED MICRO DEVICES INC
元件分類： PROM
英文描述： 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
中文描述： 1M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO44
封裝： MO-180AA, SOP-44
文件頁數(shù)： 33/49頁
文件大小： 1155K
代理商： AM29LV160DB-120SE
Am29LV160D
33
AC CHARACTERISTICS
Read Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Figure 11 and Table 11 for test specifications.
Parameter
Description
Speed Options
JEDEC
Std
Test Setup
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE# = V
IL
OE# = V
IL
Max
70
90
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
70
90
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
30
35
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z (Note 1)
Max
25
30
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z (Note 1)
Max
25
30
30
ns
t
OEH
Output Enable
Hold Time (Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE# or
OE#, Whichever Occurs First (Note 1)
Min
0
ns
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
ACC
t
RC
t
OEH
t
OE
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
t
OH
Figure 13.
Read Operations Timings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29LV160DT-120EE Ceramic Chip Capacitors / MIL-PRF-55681; Capacitance [nom]: 1000pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic; Temperature Coefficient: X7R (BX); Lead Style: Surface Mount Chip; Lead Dimensions: 0805; Termination: 100% Tin (Sn); Body Dimensions: 0.080" x 0.050" x 0.055"; Container: Bag; Features: MIL-PRF-55681: M Failure Rate
AM29LV160DT-120EC POWER CABLE DISC DRIVE 3.5-5.25,1
AM29LV160DT-70WCC 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29LV160DT-90WCC 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
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