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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV116DT-70 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 3.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 863K |
| 代理商： | AM29LV116DT-70 |
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Am29LV116D
29
TEST CONDITIONS
Table 11.
Test Specifications
Key to Switching Waveforms
2.7 k
C
L
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
Figure 11.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-70
-90, -120
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
3.0 V
0.0 V
1.5 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
Figure 12.
Input Waveforms and Measurement Levels
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