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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV116DT-120FC |
| 廠(chǎng)商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO40 |
| 封裝： | REVERSE, MO-142CD, TSOP-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 863K |
| 代理商： | AM29LV116DT-120FC |
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Am29LV116D
35
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system can use OE# or CE# to toggle DQ2/DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 19.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
Figure 20.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV116DT-120FI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV116DT-70 | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV116DT-70EC | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV116DT-70EI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV116DT-70FC | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM29LV128MH103REI | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 56-Pin TSOP |
| AM29LV128MH113REI | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 110ns 56-Pin TSOP |
| AM29LV128MH113RFI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 56TSOP - Trays |
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