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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV040B-90ED |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512畝× 8位），3.0伏的CMOS只，均勻部門32引腳閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 29/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 471K |
| 代理商： | AM29LV040B-90ED |
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October11,2006 21354E4
Am29LV040B
29
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
High Z
DQ7
DQ0–DQ6
Complement
True
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
Valid Data
t
ACC
t
RC
Note:
VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data
read cycle.
Figure 14.
Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
DQ6/DQ2
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
t
ACC
t
RC
Valid Data
Valid Status
(stops toggling)
Valid Status
(first read)
(second read)
Valid Status
VA
Note:
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read
cycle, and array data read cycle.
Figure 15.
Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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