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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV017D-120WCC |
| 英文描述： | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 24/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 744K |
| 代理商： | AM29LV017D-120WCC |
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24
Am29LV040B
AC CHARACTERISTICS
Read Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Figure 9 and Table 6 for test specifications.
Parameter
Description
Speed Option
JEDEC
Std
Test Setup
-60R
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
60
70
90
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE# = V
IL
OE# = V
IL
Max
60
70
90
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
60
70
90
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
30
30
35
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z (Note 1)
Max
25
25
30
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z (Note 1)
Max
25
25
30
30
ns
t
OEH
Output Enable
Hold Time (Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE# or
OE#, Whichever Occurs First (Note 1)
Min
0
ns
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
ACC
t
RC
t
OEH
t
OE
0 V
t
DF
t
OH
Figure 11.
Read Operations Timings
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV017D-120WCI | MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:93A; On Resistance, Rds(on):5.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DPAK; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
| AM29LV017D-90EC | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package |
| AM29LV017D-90EI | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package |
| AM29LV017D-90FC | x8 Flash EEPROM |
| AM29LV017D-90FI | x8 Flash EEPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV017D-70EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| am29lv017d-70wcc | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV017D-90EC | 制造商:ADV-MICRO-DEV 功能描述: |
| AM29LV017D-90WCC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:2M X 8 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| AM29LV017D-90WCC-T | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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