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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV008BT-120EC |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO40 |
| 封裝： | MO-142CD, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 31/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 492K |
| 代理商： | AM29LV008BT-120EC |
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Am29LV008B
31
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
21524B-22
Figure 19.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 3 V
21524B-23
Figure 20.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29LV008BT-120ECB | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV008BT-120EE | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV008BT-120EEB | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV008BT-120EI | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV008BT-120EIB | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV008BT-80EC | 制造商:Spansion 功能描述:IC 8 MEG X 8, 3 V FLASH TOP B - Bulk |
| AM29LV008DT-90EC | 制造商:Spansion 功能描述:8M (1MX8) 3V, BOOT BLOCK, TOP, TSOP40, COM - Trays |
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| AM29LV010B-55JCT | 制造商:Spansion 功能描述:1M (128KX8) 3V, UNIFORM SECTOR, PLCC32, COM, T&R - Tape and Reel |
| AM29LV010B-70ED | 制造商:Spansion 功能描述:IC SM FLASH 3V 1MB |
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