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參數(shù)資料
| 型號： | Am29LL800BB-200SIB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 2.2 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），2.2伏的CMOS只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 29/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 534K |
| 代理商： | AM29LL800BB-200SIB |
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Am29LL800B
29
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
-150
-200
JEDEC
Std
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
150
200
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
65
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
65
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time (Note 1)
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
65
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
35
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
9
μs
Word
Typ
11
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Min
90
ns
t
RSTW
RESET# High to Address Valid
Min
200
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LL800BT-150EC | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 2.2 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LL800BT-150ECB | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 2.2 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AM29LV001BB-70ED | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 1MBIT 128KX8 70NS 32TSOP - Trays |
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| AM29LV001BT-55ED | 制造商:Spansion 功能描述:1M (128KX8) 3V, BOOT BLOCK, TOP, TSOP32, COM - Trays |
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