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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F800BT-90SK |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），5.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 702K |
| 代理商： | AM29F800BT-90SK |
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November 2, 2006 21504E5
Am29F800B
27
D AT A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Read Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Figure 8 and Table 7 for test specifications.
Parameter
Description
Speed Options
JEDEC
Std
Test Setup
-55
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
90
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE# = V
IL
OE# = V
IL
Max
55
70
90
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
55
70
90
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
30
30
35
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z (Note 1)
Max
20
20
20
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z
(Note 1)
Max
20
20
20
30
ns
t
OEH
Output Enable
Hold Time
(Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses,
CE# or OE#, Whichever Occurs First
(Note 1)
Min
0
ns
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
OE
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
t
OH
Figure 9. Read Operations Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F800BT-90WBD | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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