參數(shù)資料
型號(hào)： Am29F800BT-55ECB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
中文描述： 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），5.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存
文件頁(yè)數(shù)： 24/39頁(yè)
文件大?。?/td> 518K
代理商： AM29F800BT-55ECB
30
Am29F800B
P R E L I M I NARY
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
Addresses
VCC
WE#
Data
2AAh
SA
tGHWL
tAH
tWP
tWC
tAS
tWPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
tDS
tVCS
tCS
tDH
55h
tCH
In
Progress
Complete
tWHWH2
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
tRB
tBUSY
Notes:
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see “Write Operation Status”).
2. Illustration shows device in word mode.
Figure 14.
Chip/Sector Erase Operation Timings
21504C-13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM28F512A-120FC Decade Counter 14-PDIP 0 to 70
AM28F512A-120FCB Decade Counter 14-PDIP 0 to 70
AM28F512A-120FE 512 Kilobit (64 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms
AM28F512A-120FEB Divide-By-Twelve Decade Counter 14-SOIC 0 to 70
AM28F512A-120FI Divide-By-Twelve Decade Counter 14-SOIC 0 to 70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29F800BT-55EF 功能描述:閃存 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
AM29F800BT-55SF 功能描述:閃存 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
AM29F800BT-55SI 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 5V 8MBIT 1MX8/512KX16 55NS 44SOIC - Rail/Tube
AM29F800BT70EC 制造商:AMD 功能描述:NEW
AM29F800BT-70EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
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