- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄366444 > AM29F800BT-120EE (ADVANCED MICRO DEVICES INC) 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F800BT-120EE |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/44頁(yè) |
| 文件大小： | 702K |
| 代理商： | AM29F800BT-120EE |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)當(dāng)前第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)
November 2, 2006 21504E5
Am29F800B
25
D AT A S H E E T
DC CHARACTERISTICS
CMOS Compatible
Notes:
1. I
CC
active while Embedded Erase or Embedded Program is in progress.
2. Maximum I
CC
specifcations are tested with V
CC
= V
CC
max
3. Not 100% tested.
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Load Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
,
V
CC
= V
CC
max
±
1.0
μA
I
LIT
A9, OE#, RESET Input Load
Current
V
CC
= V
CC max
,
A9 = OE# = RESET = 12.5 V
35
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
,
V
CC
= V
CC max
±
1.0
μA
I
CC1
V
CC
Active Read Current
(Note 2)
CE# = V
IL
,
OE# = V
IH
,
f
= 5 MHz
Byte Mode
20
40
mA
CE# = V
IL
,
OE# = V
IH
,
f
= 5 MHz
Word Mode
28
50
mA
I
CC2
V
CC
Active Write Current
(Notes 1, 2, 3)
CE# = V
IL
,
OE#
=
V
IH
30
50
mA
I
CC3
V
CC
Standby Current (Note 2)
CE# and RESET# = V
CC
±
0.5 V,
OE# = V
IH
0.3
5
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7 x V
CC
V
CC
+ 0.3
V
V
ID
Voltage for Autoselect and
Temporary Sector Unprotect
V
CC
= 5.0 V
11.5
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 5.8 mA, V
CC
= V
CC min
0.45
V
V
OH1
Output High Voltage
I
OH
= –2.5 mA, V
CC
= V
CC min
0.85 V
CC
V
V
OH2
I
OH
= –100 μA, V
CC
= V
CC min
V
CC
–0.4
V
V
LKO
Low V
CC
Lock-Out Voltage
(Note 3)
3.2
4.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F800BT-120EF | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| AM29F800BT-120EI | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| AM29F800BT-120EK | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| AM29F800BT-120SC | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| AM29F800BT-120SD | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F800BT-55EF | 功能描述:閃存 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AM29F800BT-55SF | 功能描述:閃存 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AM29F800BT-55SI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 5V 8MBIT 1MX8/512KX16 55NS 44SOIC - Rail/Tube |
| AM29F800BT70EC | 制造商:AMD 功能描述:NEW |
| AM29F800BT-70EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。