參數(shù)資料
型號(hào)： Am29F800BB-55EIB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
中文描述： 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），5.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存
文件頁(yè)數(shù)： 20/39頁(yè)
文件大?。?/td> 518K
代理商： AM29F800BB-55EIB
Am29F800B
27
P R E L I M I NARY
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Parameter
-55
-70
-90
-120
-150
JEDEC
Std.
Description
Unit
tELFL/tELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
tFLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
20
30
35
ns
tFHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
55
70
90
120
150
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
CE#
OE#
BYTE#
tELFL
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
tFLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
BYTE#
tELFH
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
tFHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
21504C-15
Figure 11.
BYTE# Timings for Read Operations
Note:
Refer to the Erase/Program Operations table for tAS and tAH specifications.
21504C-16
Figure 12.
BYTE# Timings for Write Operations
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
tHOLD (tAH)
tSET
(tAS)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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