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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F800B-70SIB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1,048,576 x 8-Bit/524，288 x 16位），5.0伏的CMOS只，扇區(qū)擦除閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 34/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | AM29F800B-70SIB |
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34
Am29F800T/Am29F800B
8/18/97
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Write/Erase/Program Operations
Alternate CE Controlled Writes
Notes:
1. This does not include the preprogramming time.
2. Not 100% tested.
Parameter
Symbols
Description
-70
-90
-120
-150
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 2)
Min
70
90
120
150
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
0
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
50
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
30
45
50
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
0
0
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
0
0
0
ns
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read (Note 2)
Min
0
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling (Note 2)
Min
10
10
10
10
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min
0
0
0
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE Setup Time
Min
0
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE Hold Time
Min
0
0
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE Pulse Width
Min
35
45
50
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE Pulse Width High
Min
20
20
20
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ
7
7
7
7
μ
s
Word Programming Operation
Typ
14
14
14
14
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ
1
1
1
1
sec
Max
8
8
8
8
sec
t
FLQZ
BYTE Switching Low to Output High Z (Note 2)
Max
20
30
30
30
ns
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