參數(shù)資料
型號(hào)： AM29F200B-150SI
英文描述： A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET package rated at 52 amperes optimized with low on resistance for applications such as active OR'ing. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.; A IRF6617 with Standard Tape and Reel Quantity of 4800
中文描述： x8/x16閃存EEPROM
文件頁(yè)數(shù)： 5/39頁(yè)
文件大?。?/td> 728K
代理商： AM29F200B-150SI
Am29F002B/Am29F002NB
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F200BB-120DGE1 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package; A IRFU2607Z with Standard Packaging
AM29F200BB-120DGI1 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; A IRFSL42N20D with Standard Packaging
AM29F200BB-120DPC1 EEPROM
AM29F200BB-120DPE1 EEPROM
AM29F200BB-120DPI1 EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29F200BB-120EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-120SI 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 120ns 44-Pin SOIC
AM29F200BB-120SI\T 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 2M-Bit 256K x 8/128K x 16 120ns 44-Pin SOIC T/R
AM29F200BB-45SI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-55EF 功能描述:閃存 2M (256KX8/128KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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