參數(shù)資料
型號： AM29F200B-120EEB
英文描述： 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; Similar to IRF630NS with Lead Free Packaging
中文描述： x8/x16閃存EEPROM
文件頁數(shù)： 28/39頁
文件大?。?/td> 728K
代理商： AM29F200B-120EEB
28
Am29F002B/Am29F002NB
AC CHARACTERISTICS
OE#
WE#
CE#
V
CC
Data
Addresses
t
DS
t
AH
t
DH
t
WP
PD
t
WHWH1
t
WC
t
AS
t
WPH
t
VCS
555h
PA
PA
Read Status Data (last two cycles)
A0h
t
CS
Status
D
OUT
Program Command Sequence (last two cycles)
t
CH
PA
Notes:
1. PA = program address, PD = program data, D
OUT
is the true data at the program address.
Figure 11.
Program Operation Timings
相關PDF資料
PDF描述
AM29F200B-120EI 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; A IRF630NS with Tape and Reel Right Packaging
AM29F200B-120FC 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package; A IRL1404ZS with Standard Packaging
AM29F200B-120FE 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRFR3410 with Standard Packaging
AM29F200B-120FEB x8/x16 Flash EEPROM
AM29F200B-120FI 150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRFB4019PBF with Standard Packaging
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AM29F200BB-120EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-120SI 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 120ns 44-Pin SOIC
AM29F200BB-120SI\T 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 2M-Bit 256K x 8/128K x 16 120ns 44-Pin SOIC T/R
AM29F200BB-45SI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-55EF 功能描述:閃存 2M (256KX8/128KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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