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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F040B-90JI |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, MO-052AE, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 24/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 403K |
| 代理商： | AM29F040B-90JI |
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24
Am29F040B
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
AC CHARACTERISTICS
Erase and Program Operations
Alternate CE# Controlled Writes
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Note:
Both DQ6 and DQ2 toggle with OE# or CE#. See the text on DQ6 and DQ2 in the “Write Operation Status” section for more
information.
21445B-18
Figure 13.
DQ2 vs. DQ6
Enter
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
DQ2 and DQ6 toggle with OE# and CE#
Erase
Complete
Erase
Suspend
Embedded
Erasing
Parameter Symbols
Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Standard
-55
-70
-90
-120
-150
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
90
120
150
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
40
45
45
50
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
45
50
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
Write Pulse Width
Min
30
35
45
50
50
ns
t
EHEL
t
CPH
Write Pulse Width High
Min
20
20
20
20
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
(Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation
(Note 2)
Typ
1
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F040B-90JIB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29F040B-90PE | 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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