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參數(shù)資料
| 型號： | Am29F040B-55PI |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512畝× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 26/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 403K |
| 代理商： | AM29F040B-55PI |
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26
Am29F040B
P R E L I M I N A R Y
LATCHUP CHARACTERISTICS
Includes all pins except V
CC
. Test conditions: V
CC
= 5.0 V one pin at a time.
TSOP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz.
PLCC AND PDIP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz.
DATA RETENTION
Min
Max
Input Voltage with respect to V
SS
on all I/O pins
–1.0 V
V
CC
+ 1.0 V
V
CC
Current
–100 mA
+100 mA
Parameter Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
6
7.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8.5
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
7.5
9
pF
Parameter Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
4
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
PP
= 0
8
12
pF
Parameter
Test Conditions
Min
Unit
Minimum Pattern Data Retention Time
150
°
C
10
Years
125
°
C
20
Years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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