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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F040B-120PK |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDIP32 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 24/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 534K |
| 代理商： | AM29F040B-120PK |
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22
Am29F040B
21445E5
November 1, 2006
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the
“Erase and Programming Performance”
section for more information.
Parameter Symbols
Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Std
-55
-70
-90
-120
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note
1)
Min
55
70
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
40
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
(OE# high to WE# low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
30
35
45
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
(Note
2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation
(Note
2)
)
Typ
1
sec
t
VCS
V
CC
Set Up Time (Note
1)
)
Min
50
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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