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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F032B-90SK |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (4 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（4個M × 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 33/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 524K |
| 代理商： | AM29F032B-90SK |
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November2,2006 21610D5
Am29F032B
31
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Enter
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Embedded
Erasing
Note:
The system may use OE# or CE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within the
erase-suspended sector.
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
Figure 16.
Temporary Sector Group Unprotect Timings
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F040-150FI | 4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| AM29F040-150FCB | 4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| AM29F040-150FE | 4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| AM29F040-150FEB | 4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM29F040-120JC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 512K x 8, 32 Pin, Plastic, PLCC |
| AM29F040-150JC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29F040-70EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 512K x 8, 32 Pin, Plastic, TSSOP |
| AM29F040-70JC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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