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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F017B-75F4C |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 32/39頁 |
| 文件大小： | 728K |
| 代理商： | AM29F017B-75F4C |
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32
Am29F002B/Am29F002NB
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
-55
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
90
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
30
35
45
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F017B-75F4I | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRF3415 with Standard Packaging |
| AM29F017B-75FC | 250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; Similar to IRFR12N25D with Lead Free Packaging |
| AM29F017B-75FI | x8 Flash EEPROM |
| AM29F017B-90E4C | 12V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRLR3802 with Standard Packaging |
| AM29F017B-90E4E | x8 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F017B-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| AM29F017B-90FC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| AM29F017D-120EC | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 5V 16MBIT 2MX8 120NS 48TSOP - Trays |
| AM29F017D-70FI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 5V 16MBIT 2MX8 70NS 48TSOP - Trays |
| am29f017d-90fc/t | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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