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參數(shù)資料
| 型號： | Am29F016D-120E4EB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 28/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1145K |
| 代理商： | AM29F016D-120E4EB |
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Am29F016D
27
TEST CONDITIONS
Table 11.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
5.0 V
Device
Under
Test
Figure 8.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
All speed
options
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
100
pF
Input Rise and Fall Times
20
ns
Input Pulse Levels
0.45–2.4
V
Input timing measurement
reference levels
0.8
V
Output timing measurement
reference levels
2.0
V
KS000010-PAL
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
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PDF描述 |
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