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參數資料
| 型號： | AM29DL400BB-120FC |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | REVERSE, MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數： | 37/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 534K |
| 代理商： | AM29DL400BB-120FC |
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Am29DL400B
37
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
-70
-80
-90
-120
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
80
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
9
μs
Word
Typ
11
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29DL400BB-120FCB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| AM29DL400BB-120FE | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| AM29DL400BB-120FEB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| AM29DL400BB-120FI | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| AM29DL400BB-120FIB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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