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參數資料
| 型號： | AM29DL322GT90WMF |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-48 |
| 文件頁數： | 50/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 875K |
| 代理商： | AM29DL322GT90WMF |
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48
Am29DL32xG
25686B10 December4,2006
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
70
90
120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
30
35
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
5
μs
Word
Typ
7
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation,
Word or Byte (Note 2)
Typ
4
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.4
sec
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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