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參數(shù)資料
| 型號： | AM28F256A-70ECB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms |
| 中文描述： | 256千比特（32畝× 8位）的CMOS 12.0伏，整體擦除閃存的嵌入式記憶算法 |
| 文件頁數(shù)： | 23/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 456K |
| 代理商： | AM28F256A-70ECB |
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Am28F256A
23
TEST CONDITIONS
Table 6.
Test Specifications
18879C-15
Figure 7.
Am28F256A—Average I
CC
Active vs. Frequency
V
CC
= 5.5 V, Addressing Pattern = Minmax
Data Pattern = Checkerboard
I
C
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Frequency in MHz
55°C
0°C
25°C
70°C
125°C
2.7 k
C
L
6.2 k
5.0 V
Device
Under
Test
18879C-16
Figure 8.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-70
All others
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
≤
10
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
0.45–2.4
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
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