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參數(shù)資料
| 型號： | AM28F010 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 1兆位（128畝× 8位）的CMOS 12.0伏，整體擦除閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 13/35頁 |
| 文件大小： | 492K |
| 代理商： | AM28F010 |
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Am28F010
13
Figure 1.
Flasherase
Electrical Erase Algorithm
Start
Program All Bytes to 00h
Apply V
PPH
Address = 00h
PLSCNT = 0
Write Erase Setup Command
Write Erase Command
Time out 10 ms
Write Erase Verify
Time out 6 μs
Read Data from Device
Data = FFh
Last Address
Write Reset Command
Apply V
PPL
Erasure Completed
PLSCNT =
1000
Increment Address
Apply V
PPL
Erase Error
No
Yes
No
11559G-6
Yes
Yes
Yes
No
No
Increment
PLSCNT
Data = 00h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM28F010-120EC | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AM28F010-120C3DCB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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