| 型號(hào)： | ALD1110ESAL |
| 廠商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件頁數(shù)： | 1/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH ADJ DUAL 8SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 50 |
| 系列： | EPAD® |
| FET 型： | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 10V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 3mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 歐姆 @ 5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOIC |
| 包裝： | 管件 |