| 型號： | ALD1103PBL |
| 廠商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 25 |
| FET 型： | 2 個(gè) N 通道和 2 個(gè) P 通道（H 橋式） |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 13.2V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 40mA，16mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 歐姆 @ 5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 10µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 14-PDIP |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | 1014-1008 |