參數(shù)資料
型號: ALD1101BPAL
廠商: Advanced Linear Devices Inc
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 13.2V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 40mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 歐姆 @ 5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 10µA
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-PDIP
包裝: 管件