參數(shù)資料
型號(hào)： AGRB10XM
廠商： LSI CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 102K
代理商： AGRB10XM
Agere Systems Inc.
3
Preliminary Data Sheet
AGRB10XM
July 2004
10 W, 1.0 GHz to 2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Electrical Characteristics (continued)
Recommended operating conditions apply unless otherwise specified: TC = 30 °C.
Table 5. RF Characteristics, 1805 MHz—1880 MHz
1. Across band, 1805 MHz—1880 MHz.
Table 6. RF Characteristics, 1930 MHz—1990 MHz
1. Across band, 1930 MHz—1990 MHz.
Table 7. RF Characteristics, 2110 MHz—2170 MHz
1. Across band, 2110 MHz—2170 MHz.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)1
Power Gain (VDS = 28 V, POUT = 5 W, IDQ = 100 mA)
GPS
—15
—
dB
Drain Efficiency (VDS = 28 V, POUT = P1dB, IDQ = 100 mA)
η
—58
—
%
Third-order Intermodulation Distortion (100 kHz spacing,
VDS = 28 V, POUT = 10 W PEP, IDQ = 100 mA)
IM3
@ ±400 kHz
—
–60
—
dBc
@ ±600 kHz
—
–72
—
dBc
Output Power (VDS = 28 V, 1 dB gain compression, IDQ = 100 mA)
P1dB
—
11
—
W
Input Return Loss
IRL
—
–12
—
dB
Ruggedness (VDS = 28 V, POUT = 10 W, IDQ = 100 mA,
VSWR = 10:1, all angles)
ψ
No degradation in output power.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)1
Power Gain (VDS = 28 V, POUT = 5 W, IDQ = 100 mA)
GPS
—16
—
dB
Drain Efficiency (VDS = 28 V, POUT = P1dB, IDQ = 100 mA)
η
—58
—
%
Third-order Intermodulation Distortion (100 kHz spacing,
VDS = 28 V, POUT = 10 W PEP, IDQ = 100 mA)
IM3
—
–32
—
dBc
Output Power (VDS = 28 V, 1 dB gain compression, IDQ = 100 mA)
P1dB
—
11
—
W
Input Return Loss
IRL
—
–10
—
dB
Ruggedness (VDS = 28 V, POUT = 10 W, IDQ = 100 mA,
VSWR = 10:1, all angles)
ψ
No degradation in output power.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)1
Power Gain (VDS = 28 V, POUT = 5 W, IDQ = 100 mA)
GPS
—14
—
dB
Drain Efficiency (VDS = 28 V, POUT = P1dB, IDQ = 100 mA)
η
—53
—
%
Third-order Intermodulation Distortion (100 kHz spacing,
VDS = 28 V, POUT = 10 W PEP, IDQ = 100 mA)
IM3
—
–28
—
dBc
Output Power (VDS = 28 V, 1 dB gain compression, IDQ = 100 mA)
P1dB
—
11
—
W
Input Return Loss
IRL
—
–10
—
dB
Ruggedness (VDS = 28 V, POUT = 10 W, IDQ = 100 mA,
VSWR = 10:1, all angles)
ψ
No degradation in output power.
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PDF描述
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參數(shù)描述
AGRF1000 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 AGRF1000 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
AGRF1000-2 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 AGRF1000-2 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
AGRF1000-AP 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:PolySwitch Resettable Devices Automotive Devices
AGRF1100 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 AGRF1100 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
AGRF1100-2 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 AGRF1100-2 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
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