參數(shù)資料
型號： AGR21045EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 390K
代理商： AGR21045EF
Data Sheet
AGR21045EF
45 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 8. Broadband Performance
Figure 9. Spectral Plot
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
20.00
2100
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
2180
FREQUENCY (MHz)Z
GA
IN
(d
B)
Z
-50.0
-45.0
-40.0
-35.0
-30.0
-25.0
-20.0
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
45.0
50.0
EF
F
(%
),
RL
(d
B)
,I
M
D3
(d
Bc
),
AC
PR
(d
Bc
)Z
2 CARRIER W-CDMA 3GPP,
PEAK TO AVERAGE = 8.5 dB @ 0.01% CCDF
10 MHz SPACING, 3.84 MHz CBW,
POUT = 10 W, VDD = 28 V, IDQ = 400 mA
EFFICIENCY
GAIN
RL
IMD3
ACPR
IMD3
ACPR
CENTER 2.140 GHz
SPAN 50 MHz
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
-0
+5
2 CARRIER W-CDMA
3GPP
PEAK-TO-AVG = 8.5 dB
@ 0.01% CCDF
10 MHz SPACING
3.84 MHz CBW
POUT = 10 W
VDD = 28 V
IDQ = 400 mA
F2
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