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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AGR21030EF |
| 廠商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 343K |
| 代理商： | AGR21030EF |
30 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21030EF
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 Vdc, F = 2140 MHz, IDQ = 300 mA CW input.
Figure 10. AM-AM and AM-PM Characteristics
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
PIN (dBm)Z
PO
W
ER
GA
IN
(d
B)
Z
-20.0
-18.0
-16.0
-14.0
-12.0
-10.0
-8.0
-6.0
-4.0
-2.0
0.0
2.0
4.0
PH
AS
E
(D
EG
RE
ES
)Z
AM to AM
(POWER
GAIN
[dB])
AM to PM
(PHASE
[degrees])
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| AGR21030EU | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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| AGR21090EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26045EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AGR21045EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR21060E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR21060EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR21060EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR21090E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:90 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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