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參數資料
| 型號： | AGR09030EF |
| 廠商： | LSI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | FM-2 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | AGR09030EF |
6
Agere Systems Inc.
30 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
November 2004
AGR09030E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 Vdc, IDQ = 0.33 A, TC = 30 °C, WAVEFORM = CW.
Figure 6. Power Gain vs. Power Out
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 Vdc, IDQ = 0.33 A, TC = 30 °C, WAVEFORM = CW.
Figure 7. Power Out and Drain Efficiency vs. Input Power
0
2
4
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8
10
12
14
16
18
20
22
24
10
20
30
40
50
60
POUT (W)X
POW
ER
GAIN
(P
G
)(dB)
X
865 MHz
880 MHz
895 MHz
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
PIN (W)X
P
OU
T
(W)
X
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
DRAIN
EF
F
ICIENCY
(%)
X
POUT
EFFICIENCY
895 MHz
880 MHz
865 MHz
895 MHz
880 MHz
865 MHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR09030EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09030EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09030EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09030GUM | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09030GUM | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AGR09030EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:30 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09045E | 制造商:PEAK 制造商全稱:PEAK electronics GmbH 功能描述:45 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09045EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR09045EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:45 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09045WEF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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