參數資料
| 型號： | AGLN030V5-ZVQG100I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數： | 51/150頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 1KB 30K 100VQFP |
| 標準包裝： | 90 |
| 系列： | IGLOO nano |
| 邏輯元件/單元數： | 768 |
| 輸入/輸出數： | 77 |
| 門數： | 30000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 100-TQFP |
| 供應商設備封裝： | 100-VQFP（14x14） |
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Datasheet Information
5-4
Revision 17
Revision 10
(continued)
The following tables were updated with current available information. The equivalent
software default drive strength option was added.
Timing tables in the "Single-Ended I/O Characteristics" section, including new tables for
3.3 V and 1.2 V LVCMOS wide range.
through
The formulas in the notes to Table 2-29 I/O Weak Pull-Up/Pull-Down Resistances were
revised (SAR 21348).
The text introducing Table 2-31 Duration of Short Circuit Event before Failure was
revised to state six months at 100° instead of three months at 110° for reliability
concerns. The row for 110° was removed from the table.
The following sentence was deleted from the "2.5 V LVCMOS" section (SAR 24916): "It
uses a 5-V tolerant input buffer and push-pull output buffer."
Specifications" section (SAR 23919). A note was added stating that DDR is not
supported for AGLN010, AGLN015, and AGLN020.
Tables in the "Global Tree Timing Characteristics" section were updated with new
information available.
CCC/PLL Specification were revised (SAR 79390).
2-70,
Tables in the SRAM "Timing Characteristics" section and FIFO "Timing Characteristics"
section were updated with new information available.
2-77,
A note was added to the "CS81" pin tables for AGLN060, AGLN060Z, AGLN125,
AGLN125Z, AGLN250, and AGLN250Z indicating that pins F1 and F2 must be grounded
(SAR 25007).
4-9,
through
stating that bus hold is not available for pin H7 or pin 45 (SAR 24079).
4-9,
The AGLN250 function for pin C8 in the "CS81" table was revised (SAR 22134).
Revision
Changes
Page
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HBC65DRYN-S93 | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| AGL030V2-VQ100 | IC FPGA 1KB FLASH 30K 100-VQFP |
| HMC35DRYH-S93 | CONN EDGECARD 70POS DIP .100 SLD |
| HBC65DRYH-S93 | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| A3P030-2QNG68I | IC FPGA 1KB FLASH 30K 68-QFN |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AGLN060V2-CSG81 | 功能描述:IC FPGA NANO 1KB 60K 81-CSP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） 系列:IGLOO nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數:- 邏輯元件/單元數:792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數:120 門數:30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
| AGLN060V2-CSG81I | 功能描述:IC FPGA NANO 1KB 60K 81-CSP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） 系列:IGLOO nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數:- 邏輯元件/單元數:792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數:120 門數:30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
| AGLN060V2-VQ100 | 功能描述:IC FPGA NANO 1KB 60K 100VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） 系列:IGLOO nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數:- 邏輯元件/單元數:792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數:120 門數:30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
| AGLN060V2-VQ100I | 功能描述:IC FPGA NANO 1KB 60K 100VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） 系列:IGLOO nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數:- 邏輯元件/單元數:792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數:120 門數:30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
| AGLN060V2-VQG100 | 功能描述:IC FPGA NANO 1KB 60K 100VQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） 系列:IGLOO nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數:- 邏輯元件/單元數:792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數:120 門數:30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
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