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參數(shù)資料
| 型號： | AGLN010V5-UCG36I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 103/150頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 1KB 10K 36-UCSP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 714 |
| 系列： | IGLOO nano |
| 邏輯元件/單元數(shù)： | 260 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 23 |
| 門數(shù)： | 10000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 36-WFBGA，CSBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 36-UCSP（3x3） |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁當(dāng)前第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁
IGLOO nano DC and Switching Characteristics
2-40
Revision 17
1.2 V LVCMOS Wide Range
Timing Characteristics
Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Table 2-67 Minimum and Maximum DC Input and Output Levels
1.2 V
LVCMOS
Wide
Range
VIL
VIH
VOL
VOH
IOL IOH
IOSL
IOSH
IIL 1 IIH 2
Drive
Strength
Min.
V
Max.
V
Min.
V
Max.
V
Max.
V
Min.
VmA mA
Max.
mA3
Max.
mA3
A4 A4
1 mA
–0.3 0.3 * VCCI 0.7 * VCCI
3.6
0.1
VCCI – 0.1 100 100
10
13
10
Notes:
1. IIL is the input leakage current per I/O pin over recommended operating conditions where –0.3 < VIN < VIL.
2. IIH is the input leakage current per I/O pin over recommended operating conditions where VIH < VIN < VCCI. Input
current is larger when operating outside recommended ranges.
3. Currents are measured at high temperature (100°C junction temperature) and maximum voltage.
4. Currents are measured at 85°C junction temperature.
5. Applicable to IGLOO nano V2 devices operating at VCCI
VCC.
6. Software default selection highlighted in gray.
Table 2-68 1.2 V LVCMOS Wide Range Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.14 V
Drive
Strength
Equivalent
Software
Default
Drive
Strength
Option1
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ Units
100 A
1 mA
STD
1.55
8.30
0.26
1.56
2.27
1.10
7.97
7.54
2.56
2.55
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 1.2 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-69 1.2 V LVCMOS Wide Range HIgh Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.14 V
Drive
Strength
Equivalent
Software
Default
Drive
Strength
Option1
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ Units
100 A
1 mA
STD
1.55
3.50
0.26
1.56
2.27
1.10
3.37
3.10
2.55
2.66
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 1.2 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
3. Software default selection highlighted in gray.
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