Revision 17 2-21 Applies to IGLOO nano at 1.5 V Core Operating Conditions Table 2-25 Summary of I/" />
參數(shù)資料
型號(hào)： AGLN010V5-UCG36
廠(chǎng)商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 82/150頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 10K 1.5V UCG36
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 714
系列： IGLOO nano
邏輯元件/單元數(shù)： 260
輸入/輸出數(shù)： 23
門(mén)數(shù)： 10000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
工作溫度： -20°C ~ 70°C
封裝/外殼： 36-WFBGA，CSBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 36-UCSP（3x3）
其它名稱(chēng)： 1100-1123
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)當(dāng)前第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)
IGLOO nano Low Power Flash FPGAs
Revision 17
2-21
Applies to IGLOO nano at 1.5 V Core Operating Conditions
Table 2-25 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings
STD Speed Grade, Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V,
Worst-Case VCCI = 3.0 V
I/O
S
tan
dard
Drive
S
trength
(mA)
Eq
uivalen
tSo
ft
ware
De
fault
tDrive
S
trength
Option
1
Slew
Rat
e
Ca
p
acitive
Lo
ad
(p
F)
t DO
UT
t DP
t DI
N
t PY
t PYS
t EOUT
t ZL
t ZH
t LZ
t HZ
Unit
s
3.3 V LVTTL /
3.3 V LVCMOS
8 mA
High 5 pF 0.97 1.79 0.19 0.86 1.16 0.66 1.83 1.45 1.98 2.38 ns
3.3 V LVCMOS
Wide Range2
100 A 8 mA High 5 pF 0.97 2.56 0.19 1.20 1.66 0.66 2.57 2.02 2.82 3.31 ns
2.5 V LVCMOS
8 mA
High 5 pF 0.97 1.81 0.19 1.10 1.24 0.66 1.85 1.63 1.97 2.26 ns
1.8 V LVCMOS
4 mA 4 mA
High 5 pF 0.97 2.08 0.19 1.03 1.44 0.66 2.12 1.95 1.99 2.19 ns
1.5 V LVCMOS
2 mA
High 5 pF 0.97 2.39 0.19 1.19 1.52 0.66 2.44 2.24 2.02 2.15 ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 1.2 V or LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is
±100 A. Drive strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the
IBIS models.
2. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range, as specified in the JESD8-B specification.
3. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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PDF描述
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