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參數(shù)資料
| 型號： | AGL400V2-FG144 |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 101/250頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 400K 144FBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 160 |
| 系列： | IGLOO |
| 邏輯元件/單元數(shù)： | 9216 |
| RAM 位總計(jì)： | 55296 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 97 |
| 門數(shù)： | 400000 |
| 電源電壓： | 1.14 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 144-LBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 144-FPBGA（13x13） |
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IGLOO Low Power Flash FPGAs
Revision 23
2-3
I/O Power-Up and Supply Voltage Thresholds for Power-On Reset
(Commercial and Industrial)
Sophisticated power-up management circuitry is designed into every IGLOO device. These circuits
ensure easy transition from the powered-off state to the powered-up state of the device. The many
different supplies can power up in any sequence with minimized current spikes or surges. In addition, the
I/O will be in a known state through the power-up sequence. The basic principle is shown in Figure 2-1
There are five regions to consider during power-up.
IGLOO I/Os are activated only if ALL of the following three conditions are met:
1. VCC and VCCI are above the minimum specified trip points (Figure 2-1 on page 2-4 and
2. VCCI > VCC – 0.75 V (typical)
3. Chip is in the operating mode.
VCCI Trip Point:
Ramping up (V5 devices): 0.6 V < trip_point_up < 1.2 V
Ramping down (V5 Devices): 0.5 V < trip_point_down < 1.1 V
Ramping up (V2 devices): 0.75 V < trip_point_up < 1.05 V
Ramping down (V2 devices): 0.65 V < trip_point_down < 0.95 V
VCC Trip Point:
Ramping up (V5 devices): 0.6 V < trip_point_up < 1.1 V
Ramping down (V5 devices): 0.5 V < trip_point_down < 1.0 V
Ramping up (V2 devices): 0.65 V < trip_point_up < 1.05 V
Ramping down (V2 devices): 0.55 V < trip_point_down < 0.95 V
VCC and VCCI ramp-up trip points are about 100 mV higher than ramp-down trip points. This specifically
built-in hysteresis prevents undesirable power-up oscillations and current surges. Note the following:
During programming, I/Os become tristated and weakly pulled up to VCCI.
JTAG supply, PLL power supplies, and charge pump VPUMP supply have no influence on I/O
behavior.
Table 2-4
Overshoot and Undershoot Limits 1
VCCI
Average VCCI–GND Overshoot or
Undershoot Duration
as a Percentage of Clock Cycle2
Maximum Overshoot/
Undershoot2
2.7 V or less
10%
1.4 V
5%
1.49 V
3 V
10%
1.1 V
5%
1.19 V
3.3 V
10%
0.79 V
5%
0.88 V
3.6 V
10%
0.45 V
5%
0.54 V
Notes:
1. Based on reliability requirements at junction temperature at 85°C.
2. The duration is allowed at one out of six clock cycles. If the overshoot/undershoot occurs at one out of two cycles, the
maximum overshoot/undershoot has to be reduced by 0.15 V.
3. This table does not provide PCI overshoot/undershoot limits.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| AGL400V2-FG144I | 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 400K 144FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:IGLOO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 系列:SX-A LAB/CLB數(shù):6036 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):360 門數(shù):108000 電源電壓:2.25 V ~ 5.25 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FPBGA（27X27） |
| AGL400V2-FG144T | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:AGL400V2-FG144T - Trays 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IC FPGA 400K GATES 144FBGA |
| AGL400V2-FG256 | 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 400K 144FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:IGLOO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:90 系列:ProASIC3 LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):36864 輸入/輸出數(shù):157 門數(shù):250000 電源電壓:1.425 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-FPBGA（17x17） |
| AGL400V2-FG256I | 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 400K 256FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:IGLOO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 系列:SX-A LAB/CLB數(shù):6036 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):360 門數(shù):108000 電源電壓:2.25 V ~ 5.25 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FPBGA（27X27） |
| AGL400V2-FG256T | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:AGL400V2-FG256T - Trays 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IC FPGA 178 I/O 256FBGA |
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