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參數(shù)資料
| 型號： | AFS600-2FG256I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 73/334頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 4MB FLASH 600K 256FBGA |
| 標準包裝： | 90 |
| 系列： | Fusion® |
| RAM 位總計： | 110592 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 119 |
| 門數(shù)： | 600000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 100°C |
| 封裝/外殼： | 256-LBGA |
| 供應商設備封裝： | 256-FPBGA（17x17） |
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Device Architecture
2-148
Revision 4
Temporary overshoots are allowed according to Table 3-4 on page 3-4.
Solution 2
The board-level design must ensure that the reflected waveform at the pad does not exceed limits
provided in Table 3-4 on page 3-4. This is a long-term reliability requirement.
This scheme will also work for a 3.3 V PCI/PCI-X configuration, but the internal diode should not be used
for clamping, and the voltage must be limited by the external resistors and Zener, as shown in Figure 2-
104. Relying on the diode clamping would create an excessive pad DC voltage of 3.3 V + 0.7 V = 4 V.
Figure 2-103 Solution 1
Figure 2-104 Solution 2
On-Chip
Off-Chip
Solution 1
5.5 V
3.3 V
Requires two board resistors,
LVCMOS 3.3 V I/Os
Fusion I/O Input
Rext1
Rext2
Solution 2
5.5 V
3.3 V
Requires one board resistor, one
Zener 3.3 V diode, LVCMOS 3.3 V I/Os
Fusion I/O Input
Rext1
Zener
3.3 V
On-Chip
Off-Chip
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