2-174 Revision 4 Applicable to Standard I/O Banks 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS 2 mA 100 300 4 mA 100 300 6 mA 50 150 8 mA 50 150" />
參數(shù)資料
型號(hào)： AFS090-QNG108I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 102/334頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA 2MB FLASH 90K 108-QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 348
系列： Fusion®
RAM 位總計(jì)： 27648
輸入/輸出數(shù)： 37
門數(shù)： 90000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 100°C
封裝/外殼： 108-WFQFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 108-QFN（8x8）
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Device Architecture
2-174
Revision 4
Applicable to Standard I/O Banks
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
2 mA
100
300
4 mA
100
300
6 mA
50
150
8 mA
50
150
2.5 V LVCMOS
2 mA
100
200
4 mA
100
200
6 mA
50
100
8 mA
50
100
1.8 V LVCMOS
2 mA
200
225
4 mA
100
112
1.5 V LVCMOS
2 mA
200
224
Table 2-97 I/O Weak Pull-Up/Pull-Down Resistances
Minimum and Maximum Weak Pull-Up/Pull-Down Resistance Values
VCCI
R(WEAK PULL-UP)1
(ohms)
R(WEAK PULL-DOWN)2
(ohms)
Min.
Max.
Min.
Max.
3.3 V
10 k
45 k
10 k
45 k
2.5 V
11 k
55 k
12 k
74 k
1.8 V
18 k
70 k
17 k
110 k
1.5 V
19 k
90 k
19 k
140 k
Notes:
1. R(WEAK PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / IWEAK PULL-UP-MIN
2. R(WEAK PULL-DOWN-MAX) = VOLspec / IWEAK PULL-DOWN-MIN
Table 2-96 I/O Output Buffer Maximum Resistances 1 (continued)
Standard
Drive Strength
RPULL-DOWN
(ohms) 2
RPULL-UP
(ohms) 3
Notes:
1. These maximum values are provided for informational reasons only. Minimum output buffer resistance values depend
on VCC, drive strength selection, temperature, and process. For board design considerations and detailed output buffer
resistances, use the corresponding IBIS models located on the Microsemi SoC Products Group website:
http://www.microsemi.com/soc/techdocs/models/ibis.html.
2. R(PULL-DOWN-MAX) = VOLspec / IOLspec
3. R(PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / IOHspec
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