參數(shù)資料
型號: AFP02N8-000
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝: DIE-6
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 23K
代理商: AFP02N8-000
2
Alpha Industries, Inc. [781] 935-5150
Fax [617] 824-4579 Email sales@alphaind.com www.alphaind.com
Specifications subject to change without notice. 6/99A
General Purpose PHEMT Chip
AFP02N8-000
0
4
8
12
16
20
24
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
2
3
4
6
5
N
F
M
IN
(d
B
)
G
A
(d
B
)
Frequency (GHz)
RF Minimum Noise Figure (NFMIN) and
Associated Gain (GA) vs. Frequency (GHz)
VDS = 2 V, IDS = 15 mA
GA (dB)
NFMIN (dB)
100
0
1.0
1.5
2.5
0.5
2.0
3.0
50
0
VDS (V)
l D
S
(m
A
)
DC Drain Current (IDS) vs. Drain Voltage (VDS)
as a Function of Gate to Source Voltage (VGS)
0
5
10
15
20
25
30
40
35
IDS (mA)
N
F
M
IN
(d
B
)
G
A
(d
B
)
RF Minimum Noise Figure (NFMIN) and
Associated Gain (GA) vs. Drain Current (IDS)
F = 12 GHz, VDS = 2 V
0
2
4
6
8
12
0
1
2
3
4
6
10
5
NFMIN (dB)
GA (dB)
100
0
-2.0
-1.0
0
100
0
50
1.0
g
m
(m
S
)
VGS (V)
l D
S
(m
A
)
VDS = 2 V
DC Drain Current (IDS) and
Transconductance (gm) vs.
Gate to Source Voltage (VGS)
Typical Performance Data
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