參數資料
型號: ADG5436BRUZ-REEL7
廠商: Analog Devices Inc
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描述: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
標準包裝: 1,000
功能: 開關
電路: 2 x SPDT - NC/NO
導通狀態(tài)電阻: 12 歐姆
電壓電源: 單/雙電源
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 9 V ~ 40 V,±9 V ~ ±22 V
電流 - 電源: 80µA
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝: 16-TSSOP
包裝: 帶卷 (TR)
ADG5436
Rev. A | Page 17 of 20
TRENCH ISOLATION
In the ADG5436, an insulating oxide layer (trench) is placed
between the NMOS and the PMOS transistors of each CMOS
switch. Parasitic junctions, which occur between the transistors
in junction isolated switches, are eliminated, and the result is a
completely latch-up proof switch.
In junction isolation, the N and P wells of the PMOS and
NMOS transistors form a diode that is reverse-biased under
normal operation. However, during overvoltage conditions, this
diode can become forward-biased. A silicon controlled rectifier
(SCR) type circuit is formed by the two transistors causing a
significant amplification of the current that, in turn, leads to
latch-up. With trench isolation, this diode is removed, and the
result is a latch-up proof switch.
09204-
045
NMOS
PMOS
P-WELL
N-WELL
BURIED OXIDE LAYER
HANDLE WAFER
TRENCH
Figure 35. Trench Isolation
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PDF描述
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參數描述
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