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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ADG5409BCPZ-REEL7 |
| 廠商： | Analog Devices Inc |
| 文件頁數(shù)： | 11/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MULTIPLEXER DUAL 8:1 16LFCSP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 功能： | 多路復(fù)用器 |
| 電路： | 2 x 4:1 |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 16 歐姆 |
| 電壓電源： | 單/雙電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 9 V ~ 40 V，±9 V ~ ±22 V |
| 電流 - 電源： | 80µA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-WQFN 裸露焊盤，CSP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-LFCSP-WQ（4x4） |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | ADG5409BCPZ-REEL7DKR |
Data Sheet
ADG5408/ADG5409
Rev. C | Page 19 of 24
TRENCH ISOLATION
In the ADG5408/ADG5409, an insulating oxide layer (trench)
is placed between the NMOS and the PMOS transistors of each
CMOS switch. Parasitic junctions, which occur between the
transistors in junction isolated switches, are eliminated, and the
result is a completely latch-up proof switch.
In junction isolation, the N and P wells of the PMOS and
NMOS transistors form a diode that is reverse-biased under
normal operation. However, during overvoltage conditions, this
diode can become forward-biased. A silicon controlled rectifier
(SCR) type circuit is formed by the two transistors causing a
significant amplification of the current that, in turn, leads to
latch-up. With trench isolation, this diode is removed, and the
result is a latch-up proof switch.
09206-
016
NMOS
PMOS
P-WELL
N-WELL
BURIED OXIDE LAYER
HANDLE WAFER
TRENCH
Figure 36. Trench Isolation
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| ADG5409TCPZ-EP-RL7 | 功能描述:2 Circuit IC Switch 4:1 14 Ohm 16-LFCSP-WQ (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 開關(guān)電路:SP4T 多路復(fù)用器/解復(fù)用器電路:4:1 電路數(shù):2 導(dǎo)通電阻（最大值）:14 歐姆 通道至通道匹配（ΔRon）:300 毫歐 電壓 -?電源，單（V+）:9 V ~ 40 V 電壓 - 電源，雙（V±）:±9 V ~ 22 V 開關(guān)時(shí)間（Ton, Tof）（最大值）:165ns，153ns -3db 帶寬:88MHz 電荷注入:155pC 溝道電容 （CS(off），CD（off））:17pF，48pF 電流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串?dāng)_:-60dB @ 1MHz 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA） 封裝/外殼:16-WQFN 裸露焊盤，CSP 供應(yīng)商器件封裝:16-LFCSP-WQ（4x4） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 |
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