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參數(shù)資料
| 型號： | AD8513ARZ |
| 廠商： | Analog Devices Inc |
| 文件頁數(shù)： | 15/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC OPAMP JFET 8MHZ QUAD 14SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 56 |
| 放大器類型： | J-FET |
| 電路數(shù)： | 4 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 20 V/µs |
| 增益帶寬積： | 8MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 25pA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 100µV |
| 電流 - 電源： | 2.2mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 70mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | ±4.5 V ~ 18 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 14-SOIC |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 773 (CN2011-ZH PDF) |
AD8510/AD8512/AD8513
Rev. I | Page 4 of 20
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ VS = ±15 V, VCM = 0 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage (B Grade)1
VOS
0.08
0.4
mV
40°C < TA < +125°C
0.8
mV
Offset Voltage (A Grade)
VOS
0.1
1.0
mV
40°C < TA < +125°C
1.8
mV
Input Bias Current
IB
25
80
pA
40°C < TA < +85°C
0.7
nA
40°C < TA < +125°C
10
nA
Input Offset Current
IOS
6
75
pA
40°C < TA < +85°C
0.3
nA
40°C < TA < +125°C
0.5
nA
Input Capacitance
Differential
12.5
pF
Common Mode
11.5
pF
Input Voltage Range
13.5
+13.0
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = 12.5 V to +12.5 V
86
108
dB
Large-Signal Voltage Gain
AVO
RL = 2 kΩ, VCM = 0 V,
VO = 13.5 V to +13.5 V
115
196
V/mV
Offset Voltage Drift (B Grade)1
ΔVOS/ΔT
1.0
5
μV/°C
Offset Voltage Drift (A Grade)
ΔVOS/ΔT
1.7
12
μV/°C
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
RL = 10 kΩ
+14.0
+14.2
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 10 kΩ, 40°C < TA < +125°C
14.9
14.6
V
Output Voltage High
VOH
RL = 2 kΩ
+13.8
+14.1
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 2 kΩ, 40°C < TA < +125°C
–14.8
14.5
V
Output Voltage High
VOH
RL = 600 Ω
+13.5
+13.9
V
RL = 600 Ω, 40°C < TA < +125°C
+11.4
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 600 Ω
14.3
13.8
V
RL = 600 Ω, 40°C < TA < +125°C
12.1
V
Output Current
IOUT
±70
mA
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = ±4.5 V to ±18 V
86
dB
Supply Current/Amplifier
ISY
AD8510/AD8512/AD8513
VO = 0 V
2.2
2.5
mA
AD8510/AD8512
40°C < TA < +125°C
2.6
mA
AD8513
40°C < TA < +125°C
3.0
mA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 2 kΩ
20
V/μs
Gain Bandwidth Product
GBP
8
MHz
Settling Time
tS
To 0.1%, 0 V to 10 V step, G = +1
0.5
μs
To 0.01%, 0 V to 10 V step, G = +1
0.9
μs
Total Harmonic Distortion (THD) + Noise
THD + N
1 kHz, G = +1, RL = 2 kΩ
0.0005
%
Phase Margin
φM
52
Degrees
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PDF描述 |
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