參數(shù)資料
型號: AD8000YRDZ-REEL
廠商: Analog Devices Inc
文件頁數(shù): 5/21頁
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描述: IC OPAMP CF LN 100MA 8SOIC
產(chǎn)品培訓模塊: Practical Guide High Speed PCB Layout
標準包裝: 2,500
放大器類型: 電流反饋
電路數(shù): 1
轉換速率: 4100 V/µs
-3db帶寬: 1.58GHz
電流 - 輸入偏壓: 5µA
電壓 - 輸入偏移: 1000µV
電流 - 電源: 13.5mA
電流 - 輸出 / 通道: 100mA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 4.5 V ~ 12 V,±2.25 V ~ 6 V
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤
供應商設備封裝: 8-SOIC-EP
包裝: 帶卷 (TR)
AD8000
Data Sheet
Rev. B | Page 12 of 20
INPUT
CURRENT
NOISE
(pA/
Hz)
05321-055
FREQUENCY (Hz)
0.1
1
10
100
1000
100k
10k
100
1k
10
1M
10M
100M
1G
VS = ±5V
INVERTING CURRENT NOISE, RF = 1k
NONINVERTING CURRENT NOISE, RF = 432
Figure 41. Input Current Noise
–20
–15
–10
–5
0
5
V
OS
(mV)
10
15
20
VCM (V)
05321-024
–5
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
4
5
VS = +5V
VS = ±5V
Figure 42. Input VOS vs. Common-Mode Voltage
–25
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
25
I B
(
A)
–5
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
4
5
VOUT (V)
05321-069
VS = +5V
VS = ±5V
Figure 43. Input Bias Current vs. Output Voltage
–5
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
4
5
–50
–45
–40
–35
–30
–25
–20
–15
–10
–5
0
I B
(
A)
05321-070
VCM (V)
VS = +5V
VS = ±5V
Figure 44. Input Bias Current vs. Common-Mode Voltage
S22
(dB)
05321-065
FREQUENCY (MHz)
–50
–45
–40
–35
–30
–25
–20
–15
–10
–5
10
100
1000
RBACK TERM = 50
VS = ±5V
G = +2
POUT = –10dBm
SOIC
Figure 45. Output Voltage Standing Wave Ratio (S22)
S11
(dB)
05321-064
FREQUENCY (MHz)
–50
–45
–40
–35
–30
–25
–20
–15
–10
–5
10
100
1000
INPUT RS = 0
VS = ±5V
POUT = –10dBm
SOIC
G = +10
G = +1
G = +2
Figure 46. Input Voltage Standing Wave Ratio (S11)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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AD8001 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:800 MHz, 50 mW Current Feedback Amplifier
AD8001_03 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:800 MHz, 50 mW Current Feedback Amplifier
AD800-10-TO5I 功能描述:光電二極管 800um active area APD chip w/ IR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5
AD800-11-TO52S1.3 功能描述:光電二極管 800um active area APD chip w/ Blue RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5