參數(shù)資料
型號(hào)： ACTT2S-800E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶閘管
英文描述： AC Thyristor Triac power switch
封裝： ACTT2S-800E<SOT428 (SOT428)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<,;
文件頁(yè)數(shù)： 7/15頁(yè)
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代理商： ACTT2S-800E
ACTT2S-800E
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Product data sheet
Rev. 2 — 25 October 2011
7 of 15
NXP Semiconductors
ACTT2S-800E
AC Thyristor Triac power switch
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
I
GT
Characteristics
Parameter
gate trigger current
Conditions
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; LD+ G+; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; LD+ G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; LD- G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 8
V
D
= 12 V; I
G
= 100 mA; LD+ G+; T
j
= 25 °C;
see
Figure 9
V
D
= 12 V; I
G
= 100 mA; LD+ G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 9
V
D
= 12 V; I
G
= 100 mA; LD- G-; T
j
= 25 °C;
see
Figure 9
V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C; see
Figure 10
I
T
= 3 A; see
Figure 11
V
D
= 400 V; I
T
= 100 mA; T
j
= 125 °C;
see
Figure 12
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; T
j
= 25 °C;
see
Figure 12
V
D
= 800 V; T
j
= 25 °C
V
D
= 800 V; T
j
= 125 °C
V
DM
= 536 V; T
j
= 125 °C; gate open circuit;
exponential waveform; see
Figure 13
V
D
= 400 V; T
j
= 125 °C; I
T(RMS)
= 2 A;
dV
com
/dt = 10 V/μs; gate open circuit;
see
Figure 14
; see
Figure 15
I
CL
= 0.1 mA; t
p
= 1 ms; T
j
= 25 °C
Min
-
Typ
-
Max
10
Unit
mA
-
-
10
mA
-
-
10
mA
I
L
latching current
-
-
25
mA
-
-
35
mA
-
-
25
mA
I
H
V
T
V
GT
holding current
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
0.2
-
-
-
25
2
-
mA
V
V
-
-
1.5
V
I
D
off-state current
-
-
500
-
-
-
10
0.5
-
μA
mA
V/μs
dV
D
/dt
rate of rise of off-state
voltage
rate of change of
commutating current
dI
com
/dt
3
-
-
A/ms
V
CL
clamping voltage
850
-
-
V
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PDF描述
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