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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ACS110 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | AC LINE SWITCH(交流線路開關(guān)) |
| 中文描述： | 交流線開關(guān)（交流線路開關(guān)） |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | ACS110 |
ACS110-7SN/SB2
6/10
Maximum power dissipation vs RMS on state current.
RMS on-state current vs ambient temperature, case temperature and package
Relative variation of thermal impedance junction to ambient vs pulse duration and package
Relative variation of gate trigger current vs junction temperature
Relative variation of holding and latching current vs junction
Relative variation of dV/dt vs Tj
Relative variation of (dV/dt)
c
vs (di/dt)
c
Surge peak on-state current vs number of cycles
Non repetitive surge peak on-state current for a sinusoidal pulse with tp<10ms, and corresponding of I2t.
On-state characteristics (maximal values)
Thermal resistance junction to ambient vs copper surface under tab
Relative variation of critical (di/dt)c vs junction temperature
OTHER FIGURES
0.0
0.1
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0.3
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0.9
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I
(A)
T(RMS)
α
=180°
180°
α
α
P(W)
Fig. 1:
Maximum power dissipation versus RMS
on-state current.
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
25
50
75
100
125
T
/T
(°C)
tab
lead
α
=180°
SOT-223
DIL-8
I
(A)
T(RMS)
Fig. 2-1:
RMS on-state current versus tab or lead
temperature.
I
T(RMS)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
25
50
75
100
125
T
(°C)
amb
α
=180°
Printed circuit board FR4
Natural convection
S=5cm2
Fig. 2-2:
RMS on-state current versus ambient
temperature.
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
t (s)
p
K=[Zth
/Rth
]
(j-a)
(j-a)
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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