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參數(shù)資料
| 型號： | ACDN301 |
| 廠商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | ACDN301 |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
UNITS
BVCBO
IC = 40 mA
65
V
BVCEO
IC = 80 mA
30
V
BVEBO
IE = 20 mA
3.5
V
BVCER
IC = 120 mA
RBE = 75
40
V
ICEO
VCE = 28 V
10
mA
hFE
VCE = 5 V
IC = 4.0 A
25
120
---
COB
VCB = 28 V
f = 1.0 MHz
50
pF
PG
η
C
ICQ = 200 mA
POUT = 100 W
f = 860 MHz
8.5
55
dB
%
P1dB
ICQ = 200 mA
Pref = 25 W
f = 860 MHz
100
W
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
ACDN301
DESCRIPTION:
The ASI ACDN301 is Designed for
Television Band IV & V Applications
up to 860 MHz.
FEATURES:
Common Emitter
P
G = 8.5 dB at 100 W/860 MHz
Omnigold Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC
16 A
VCEO
30 V
VCBO
65 V
VEBO
3.5 V
PDISS
220 W @ TC = 25 °C
TJ
-65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +150 °C
θ
JC
0.8 °C/W
PACKAGE STYLE .400 BAL FLG(C)
MINIMUM
inches / mm
.380 / 9.65
.120 / 3.05
.780 / 19.81
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
.130 / 3.30
.820 / 20.83
.390 / 9.91
inches / mm
1.090 / 27.69
H
DIM
K
L
I
J
.003 / 0.08
.060 / 1.52
.007 / 0.18
.070 / 1.78
.205 / 5.21
N
M
.850 / 21.59
.870 / 22.10
.220 / 5.59
.230 / 5.84
.435 / 11.05
.082 / 2.08
.100 / 2.54
.407 / 10.34
.395 / 10.03
.080x45°
A
B
F
G
H
I
J K
L
M
(4X).060 R
.1925
D
C
E
FULL R
N
1.335 / 33.91
1.345 / 34.16
.210 / 5.33
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACLM-4530C31K-RC | 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE LIMITER |
| ACLM-4530C361K-RC | 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE LIMITER |
| ACLM-4530C36R1K-RC | 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE LIMITER |
| ACLM-4530C371K-RC | 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE LIMITER |
| ACLM-4530C37R1K-RC | 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE LIMITER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ACDQ24TTEB470K/330M | 功能描述:電阻器網(wǎng)絡與陣列 470K/330 24 PIN (R) RoHS:否 制造商:Vishay/Thin Film 產(chǎn)品類型:Networks 電路類型:Divider 電阻器數(shù)量: 電阻數(shù)值:10 kOhms 容差:0.1 % 溫度系數(shù): 管腳數(shù)量:3 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:1.02 mm W x 3.05 mm L x 1.4 mm H 引線間隔: 端接類型:SMD/SMT 封裝:Reel |
| ACDST-2004S-HF | 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 300V 225mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:comchip technology 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對串聯(lián) 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:225mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 240V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 |
| ACDST6-4448TI-G | 功能描述:Diode Array 3 Independent Standard 75V 100mA Surface Mount SOT-23-6 制造商:comchip technology 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 二極管配置:3 個獨立式 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 |
| ACDST-70-G | 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 70V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:comchip technology 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2.5μA @ 70V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 |
| ACDST-99-G | 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 70V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:comchip technology 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對串聯(lián) 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2.5μA @ 70V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 |
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