2-20 Revision 11 The length of time an I/O can withstand IOSH/IOSL events depends on the junction t" />
參數(shù)資料
型號： A3PN125-Z1VQG100
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 43/114頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 125000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-20
Revision 11
The length of time an I/O can withstand IOSH/IOSL events depends on the junction temperature. The
reliability data below is based on a 3.3 V, 8 mA I/O setting, which is the worst case for this type of
analysis.
For example, at 100°C, the short current condition would have to be sustained for more than six months
to cause a reliability concern. The I/O design does not contain any short circuit protection, but such
protection would only be needed in extremely prolonged stress conditions.
Table 2-23 I/O Short Currents IOSH/IOSL
Drive Strength
IOSL (mA)*
IOSH (mA)*
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
2 mA
25
27
4 mA
25
27
6 mA
51
54
8 mA
51
54
3.3 V LVCMOS Wide Range
100 A
Same as equivalent software
default drive
2.5 V LVCMOS
2 mA
16
18
4 mA
16
18
6 mA
32
37
8 mA
32
37
1.8 V LVCMOS
2 mA
9
11
4 mA
17
22
1.5 V LVCMOS
2 mA
13
16
Note: *TJ = 100°C
Table 2-24 Duration of Short Circuit Event before Failure
Temperature
Time before Failure
–40°C
> 20 years
–20°C
> 20 years
0°C
> 20 years
25°C
> 20 years
70°C
5 years
85°C
2 years
100°C
6 months
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PDF描述
A3PN125-Z1VQ100 IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP
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A3PN125-Z2VQ100 功能描述:IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
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