Revision 11 2-19 Detailed I/O DC Characteristics Table 2-20 Input Capacitance Symbol Definition Conditions Min. " />
參數(shù)資料
型號： A3PN125-Z1VQ100
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 42/114頁
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描述： IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP
標準包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 125000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應商設備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-19
Detailed I/O DC Characteristics
Table 2-20 Input Capacitance
Symbol
Definition
Conditions
Min.
Max.
Units
CIN
Input capacitance
VIN = 0, f = 1.0 MHz
8
pF
CINCLK
Input capacitance on the clock pin
VIN = 0, f = 1.0 MHz
8
pF
Table 2-21 I/O Output Buffer Maximum Resistances 1
Standard
Drive Strength
RPULL-DOWN
(
)2
RPULL-UP
(
)3
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
2 mA
100
300
4 mA
100
300
6 mA
50
150
8 mA
50
150
3.3 V LVCMOS Wide Range
100 A
Same as equivalent
software default drive
2.5 V LVCMOS
2 mA
100
200
4 mA
100
200
6 mA
50
100
8 mA
50
100
1.8 V LVCMOS
2 mA
200
225
4 mA
100
112
1.5 V LVCMOS
2 mA
200
224
Notes:
1. These maximum values are provided for informational reasons only. Minimum output buffer resistance
values depend on VCCI, drive strength selection, temperature, and process. For board design
considerations and detailed output buffer resistances, use the corresponding IBIS models, located at
2. R(PULL-DOWN-MAX) = (VOLspec) / IOLspec
3. R(PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / IOHspec
Table 2-22 I/O Weak Pull-Up/Pull-Down Resistances
Minimum and Maximum Weak Pull-Up/Pull-Down Resistance Values
VCCI
R(WEAK PULL-UP)1
(
)
R(WEAK PULL-DOWN)2
(
)
Min.
Max.
Min.
Max.
3.3 V
10 K
45 K
10 K
45 K
3.3 V (wide range I/Os)
10 K
45 K
10 K
45 K
2.5 V
11 K
55 K
12 K
74 K
1.8 V
18 K
70 K
17 K
110 K
1.5 V
19 K
90 K
19 K
140 K
Notes:
1. R(WEAK PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / I(WEAK PULL-UP-MIN)
2. R(WEAK PULLDOWN-MAX) = (VOLspec) / I(WEAK PULLDOWN-MIN)
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