參數(shù)資料
型號(hào)： A3PN030-ZVQG100I
元件分類(lèi)： FPGA
英文描述： FPGA, 768 CLBS, 30000 GATES, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 51/100頁(yè)
文件大?。?/td> 3284K
代理商： A3PN030-ZVQG100I
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2- 40
Advance v0.2
Timing Characteristics
Figure 2-16 Input DDR Timing Diagram
tDDRICLR2Q2
tDDRIREMCLR
tDDRIRECCLR
tDDRICLR2Q1
12
3
4
5
6
7
8
9
CLK
Data
CLR
Out_QR
Out_QF
tDDRICLKQ1
2
4
6
3
5
7
tDDRIHD
tDDRISUD
tDDRICLKQ2
Table 2-58 Input DDR Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std.
Units
tDDRICLKQ1
Clock-to-Out Out_QR for Input DDR
0.27
0.31
0.37
ns
tDDRICLKQ2
Clock-to-Out Out_QF for Input DDR
0.39
0.44
0.52
ns
tDDRISUD
Data Setup for Input DDR (Fall)
0.25
0.28
0.33
ns
Data Setup for Input DDR (Rise)
0.25
0.28
0.33
ns
tDDRIHD
Data Hold for Input DDR (Fall)
0.00
ns
Data Hold for Input DDR (Rise)
0.00
ns
tDDRICLR2Q1
Asynchronous Clear-to-Out Out_QR for Input DDR
0.46
0.53
0.62
ns
tDDRICLR2Q2
Asynchronous Clear-to-Out Out_QF for Input DDR
0.57
0.65
0.76
ns
tDDRIREMCLR
Asynchronous Clear Removal time for Input DDR
0.00
ns
tDDRIRECCLR
Asynchronous Clear Recovery time for Input DDR
0.22
0.25
0.30
ns
tDDRIWCLR
Asynchronous Clear Minimum Pulse Width for Input DDR
0.22
0.25
0.30
ns
tDDRICKMPWH Clock Minimum Pulse Width High for Input DDR
0.36
0.41
0.48
ns
tDDRICKMPWL
Clock Minimum Pulse Width Low for Input DDR
0.32
0.37
0.43
ns
FDDRIMAX
Maximum Frequency for Input DDR
MHz
Note: For specific junction temperature and voltage-supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating
values.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
A3PN030-ZVQG100 FPGA, 768 CLBS, 30000 GATES, PQFP100
AT24C04AN-10SN-2.7 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
AM29LV400BB70RFF 512K X 8 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
AM41PDS3224DB11FS SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73
AM29F017D-120FD 2M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
A3PN060-1VQ100 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門(mén)數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類(lèi)型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
A3PN060-1VQ100I 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門(mén)數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類(lèi)型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
A3PN060-1VQG100 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門(mén)數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類(lèi)型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
A3PN060-1VQG100I 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門(mén)數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類(lèi)型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
A3PN060-2VQ100 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門(mén)數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類(lèi)型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
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